igzo铟镓鋅氧化物晶體(tǐ)管8位處理(lǐ)器(qì)功耗低(dī)至0.01w
現在高(gāo)性能的處理(lǐ)器(qì)越來(lái)越複雜,工藝也先進,但(dàn)在物聯網領域,有(yǒu)些(xiē)芯片需要更低(dī)的功耗,IMEC比利時(shí)微電(diàn)子中心今天宣布聯合多(duō)家(jiā)合作(zuò)夥伴造出了0.8um的IGZO铟镓鋅氧化物晶體(tǐ)管技(jì)術(shù)的8位處理(lǐ)器(qì),功耗可(kě)低(dī)至0.01W。與矽基CMOS工藝的芯片相比,薄膜晶體(tǐ)管技(jì)術(shù)的芯片具有(yǒu)獨特的優勢,包括低(dī)成本、輕薄、柔性、可(kě)彎曲等等,更适合物聯網領域,比如RFID射頻标簽、健康傳感器(qì)等等,還(hái)可(kě)以作(zuò)為(wèi)顯示器(qì)的驅動芯片。