igzo铟镓鋅氧化物晶體(tǐ)管8位處理(lǐ)器(qì)功耗低(dī)至0.01w

       現在高(gāo)性能的處理(lǐ)器(qì)越來(lái)越複雜，工藝也先進，但(dàn)在物聯網領域，有(yǒu)些(xiē)芯片需要更低(dī)的功耗，IMEC比利時(shí)微電(diàn)子中心今天宣布聯合多(duō)家(jiā)合作(zuò)夥伴造出了0.8um的IGZO铟镓鋅氧化物晶體(tǐ)管技(jì)術(shù)的8位處理(lǐ)器(qì)，功耗可(kě)低(dī)至0.01W。

與矽基CMOS工藝的芯片相比，薄膜晶體(tǐ)管技(jì)術(shù)的芯片具有(yǒu)獨特的優勢，包括低(dī)成本、輕薄、柔性、可(kě)彎曲等等，更适合物聯網領域，比如RFID射頻标簽、健康傳感器(qì)等等，還(hái)可(kě)以作(zuò)為(wèi)顯示器(qì)的驅動芯片。

這些(xiē)領域缺少(shǎo)的是一個(gè)靈活的處理(lǐ)器(qì)，IMEC現在制(zhì)造的就是全新的8位微處理(lǐ)器(qì)，可(kě)以執行(xíng)複雜的計(jì)算(suàn)。

具體(tǐ)來(lái)說，這款8位處理(lǐ)器(qì)性能強，頻率可(kě)達71.4KHz（不是MHz，在該領域是高(gāo)頻了），功耗非常低(dī)，其中10KHz頻率下隻有(yǒu)11.6mW，最高(gāo)速度下也隻有(yǒu)134.9mW，也就是0.01W到0.13W之間(jiān)。

制(zhì)造這款處理(lǐ)器(qì)使用的是0.8umIGZOO铟镓鋅氧化物晶體(tǐ)管技(jì)術(shù)，集成了1.6萬個(gè)晶體(tǐ)管，面積也隻有(yǒu)24.9mm2，已經是該技(jì)術(shù)中集成度、良率都很(hěn)高(gāo)的水(shuǐ)準了。