單片機抗幹擾措施

    要解決單片機抗幹擾問題，必須先找出幹擾源，然後采用單片機軟硬件技(jì)術(shù)決。幹擾源主要來(lái)自內(nèi)（外）部電(diàn)源、印制(zhì)闆自制(zhì)幹擾、周圍電(diàn)磁場(chǎng)幹擾和(hé)通(tōng)過I/輸入的外部幹擾等。
　　一、硬件抗幹擾措施
　　1.交流穩壓，使電(diàn)網電(diàn)壓穩定。
　　2.交流端用電(diàn)感電(diàn)容濾波，去掉高(gāo)頻、低(dī)頻幹擾脈沖。
　　3.變壓器(qì)雙隔離措施。變壓器(qì)初級輸入端串接電(diàn)容，初、次級線圈間(jiān)屏蔽層級間(jiān)電(diàn)容中心接點接地，次級外屏蔽層接印闆地，這是硬件抗幹擾的關鍵手段。
　　4.次級加低(dī)通(tōng)濾波器(qì)，吸收變壓器(qì)産生(shēng)的浪湧電(diàn)壓。
　　5.采用有(yǒu)過流、過壓、過熱等保護的集成式直流穩壓電(diàn)源。
　　6.I/O口光電(diàn)、磁電(diàn)、繼電(diàn)器(qì)隔離，去掉公共地。
　　7.通(tōng)訊線用雙絞線，消除平行(xíng)互感。
　　8.防雷電(diàn)用光纖隔離最為(wèi)有(yǒu)效。
　　9.A/D轉換用隔離放大(dà)器(qì)或采用現場(chǎng)轉換的方法，以減少(shǎo)誤差。
　　10.外殼接大(dà)地，以确保人(rén)身安全，并防止外界電(diàn)磁場(chǎng)幹擾。
　　11.加複位電(diàn)壓檢測電(diàn)路，防止在不能正常複位的情況下CPU開(kāi)始工作(zuò)，尤有(yǒu)EEPROM的器(qì)件，不能正常複位會(huì)改變EEPROM的內(nèi)容。
　　12.印制(zhì)闆抗幹擾工藝
　　（1）電(diàn)源線加粗；合理(lǐ)走線、接地；三總線分開(kāi)，減少(shǎo)互感振蕩。
　　（2）CPU、RAM、ROM等主芯片的VCC和(hé)GND之間(jiān)接電(diàn)解電(diàn)容及瓷片電(diàn)掉高(gāo)、低(dī)頻幹擾脈沖。
　　（3）獨立系統結構，減少(shǎo)接插件與連線，提高(gāo)可(kě)靠性，減少(shǎo)故障率。
　　（4）集成塊與插座接觸可(kě)靠。最好将集成塊直接焊在印制(zhì)闆上(shàng)，防止器(qì)件接良引發的故障。
　　（5）有(yǒu)條件的情況下可(kě)采用四層以上(shàng)的印制(zhì)闆，中間(jiān)兩層設為(wèi)電(diàn)源和(hé)地。
　　二、軟件抗幹擾措施
　　1.多(duō)用查詢代替中斷，把中斷源減到最少(shǎo)；中斷信号連線不大(dà)于0.0米，防止發和(hé)感應觸發。
　　2.A/D轉換采用平均法、比較平均法等進行(xíng)數(shù)字濾波，防止突發性幹擾。
　　3.MCS-51單片機的空(kōng)單元寫上(shàng)00H，最後加跳(tiào)轉指令轉到ORG 0000H，當程序因幹擾跑飛後還(hái)可(kě)能抓回去。
　　4.多(duō)次重複輸出，輸出信号保存在RAN中。
　　5.開(kāi)機自檢自診斷，RAM中重要內(nèi)容要分區(qū)存放，經常進行(xíng)比較檢查，機器(qì)不能帶病工作(zuò)。
　　6.表格參數(shù)放在EPROM中，校(xiào)驗和(hé)存于最後單元，防止EPROM內(nèi)容被修改。
　　7.加看門(mén)狗，軟件跑飛可(kě)從頭開(kāi)始執行(xíng)。
　　8.開(kāi)關信号延時(shí)去抖動。
　　9.必須檢查I/O口執行(xíng)命令的情況，防止因外部故障而不執行(xíng)控制(zhì)命令。
　　10.通(tōng)訊應加奇偶校(xiào)驗或查詢、表決、比較等措施，防止出錯。