硬件開(kāi)發PCB設計(jì)的3W和(hé)20H原則 五五規則

       在Protel的硬件開(kāi)發中，PCB設計(jì)中的3W和(hé)20H原則很(hěn)重要，本文就介紹了是3W原則、20H原則、五五規則，這些(xiē)值得(de)借鑒。 

   1)3W原則 
    這裏3W是線與線之間(jiān)的距離保持3倍線寬。是為(wèi)了減少(shǎo)線間(jiān)串擾，應保證線間(jiān)距足夠大(dà)，如果線中心距不少(shǎo)于3倍線寬時(shí)，則可(kě)保持70%的線間(jiān)電(diàn)場(chǎng)不互相幹擾，稱為(wèi)3W規則。如要達到98%的電(diàn)場(chǎng)不互相幹擾，可(kě)使用10W規則。 
   2)20H原則 
    20H原則是指電(diàn)源層相對地層內(nèi)縮20H的距離，當然也是為(wèi)抑制(zhì)邊緣輻射效應。在闆的邊緣會(huì)向外輻射電(diàn)磁幹擾。将電(diàn)源層內(nèi)縮，使得(de)電(diàn)場(chǎng)隻在接地層的範圍內(nèi)傳導。有(yǒu)效的提高(gāo)了EMC。若內(nèi)縮20H則可(kě)以将70%的電(diàn)場(chǎng)限制(zhì)在接地邊沿內(nèi)；內(nèi)縮100H則可(kě)以将98%的電(diàn)場(chǎng)限制(zhì)在內(nèi)。 
   3)PCB設計(jì)中的20H原則？ 　 
    “20H規則”的采用是指要确保電(diàn)源平面的邊緣要比0V平面邊緣至少(shǎo)縮入相當于兩個(gè)平面間(jiān)層距的20倍。 
    這個(gè)規則經常被要求用來(lái)作(zuò)為(wèi)降低(dī)來(lái)自0V/電(diàn)源平面結構的側邊射擊發射技(jì)術(shù)（抑制(zhì)邊緣輻射效應）。但(dàn)是，20H規則僅在某些(xiē)特定的條件下才會(huì)提供明(míng)顯的效果。這些(xiē)特定條件包括有(yǒu)： 
    1. 在電(diàn)源總線中電(diàn)流波動的上(shàng)升/下降時(shí)間(jiān)要小(xiǎo)于1ns。 
    2. 電(diàn)源平面要處在PCB的內(nèi)部層面上(shàng)，并且與它相鄰的上(shàng)下兩個(gè)層面都為(wèi)0V平面。這兩個(gè)0V平面向外延伸的距離至少(shǎo)要相當于它們各自與電(diàn)源平面間(jiān)層距的20倍。 
    3. 在所關心的任何頻率上(shàng)，電(diàn)源總線結構不會(huì)産生(shēng)諧振。 
    4. PCB的總導數(shù)至少(shǎo)為(wèi)8層或更多(duō)。 
   4)疑問：這些(xiē)特定條件是充分的還(hái)是必要的？ 
    若內(nèi)縮20H則可(kě)以将70%的電(diàn)場(chǎng)限制(zhì)在接地邊沿內(nèi)；內(nèi)縮100H則可(kě)以将98%的電(diàn)場(chǎng)限制(zhì)在內(nèi)。 
    20H原則是指電(diàn)源層邊緣要比地層邊緣至少(shǎo)縮進20倍的層與層間(jiān)距，以抑制(zhì)邊緣輻射效應；內(nèi)縮20H可(kě)限制(zhì)70%的電(diàn)場(chǎng)，內(nèi)縮100H可(kě)限制(zhì)98%的電(diàn)場(chǎng)。 
   5)五五規則 
    印制(zhì)闆層數(shù)選擇規則，即時(shí)鍾頻率到5MHz或脈沖上(shàng)升時(shí)間(jiān)小(xiǎo)于5ns，則PCB闆須采用多(duō)層闆，這是一般的規則，有(yǒu)的時(shí)候出于成本等因素的考慮，采用雙層闆結構時(shí)，這種情況下，最好将印制(zhì)闆的一面做(zuò)為(wèi)一個(gè)完整的地平面層。