STM32F071VB芯片解密
STM32F071VB芯片主要特性：
64到128字節的Flash存儲器(qì)
16字節的SRAM與硬件校(xiào)驗
CRC計(jì)算(suàn)單元
複位和(hé)電(diàn)源管理(lǐ)
數(shù)字和(hé)I / O電(diàn)源：VDD = 2 V至3.6 V
模拟電(diàn)源：VDDA電(diàn)壓3.6 V =
選擇I/O：vddio2 = 1.65 V至3.6 V
上(shàng)電(diàn)/下電(diàn)複位
可(kě)編程電(diàn)壓檢測器(qì)（PVD）
低(dī)功耗模式：睡眠，停止，待機
VBAT供RTC和(hé)備份寄存器(qì)
時(shí)鍾管理(lǐ)
4～32 MHz晶體(tǐ)振蕩器(qì)
校(xiào)準用RTC的32千赫振蕩器(qì)
與X6 PLL選項內(nèi)部8 MHz RC
內(nèi)部40千赫RC振蕩器(qì)
內(nèi)部48 MHz振蕩器(qì)基于外部同步自動微調
高(gāo)達87快的I／OS
所有(yǒu)可(kě)映射到外部中斷向量
高(gāo)達68的I / O 5V和(hé)19 vddio2獨立供應能力
七通(tōng)道(dào)DMA控制(zhì)器(qì)
一個(gè)12位，1微米的ADC（最多(duō)16個(gè)通(tōng)道(dào)）
轉換範圍：0到3.6伏
獨立模拟電(diàn)源：2.4伏至3.6伏
一個(gè)12位D/A轉換器(qì)（有(yǒu)2個(gè)通(tōng)道(dào)）
兩個(gè)具有(yǒu)可(kě)編程輸入和(hé)輸出的快速低(dī)功耗模拟比較器(qì)
高(gāo)達24的電(diàn)容傳感通(tōng)道(dào)touchkey，線性和(hé)旋轉觸摸傳感器(qì)
日曆RTC報警和(hé)定期喚醒從停止/待機
12定時(shí)器(qì)
一個(gè)16位先進控制(zhì)定時(shí)器(qì)六路PWM輸出
一個(gè)32位和(hé)七個(gè)16位定時(shí)器(qì)，多(duō)達四個(gè)IC / OC，OCN，可(kě)用紅外控制(zhì)解碼和(hé)DAC控制(zhì)
獨立和(hé)系統看門(mén)狗定時(shí)器(qì)
SysTick定時(shí)器(qì)
通(tōng)信接口
兩I2 C接口支持快速模式Plus（1兆位/秒(miǎo)）20毫安的電(diàn)流接收器(qì)，一個(gè)支持SMBus / PMBus和(hé)喚醒
四USART支持主同步SPI和(hé)現代控制(zhì)，兩ISO7816接口、林、IrDA、自動波特率檢測和(hé)喚醒功能
兩斯皮思（18兆位/秒(miǎo)）4至16可(kě)編程比特幀，并與I2接口複用
CAN接口
USB 2全速接口，能夠從內(nèi)部48 MHz振蕩器(qì)和(hé)BCD和(hé)LPM支持
在報頭接收中喚醒
串行(xíng)線路調試（社署）
96位唯一标識
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